Номер детали производителя : | S1JLS RVG |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | 11945 pcs Stock |
Описание : | DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S1JLS RVG.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1JLS RVG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 11945 pcs |
Спецификация | S1JLS RVG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 1.2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | SOD-123HE |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | SOD-123H |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.2A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | S1J |
1.2A, 600V, STANDARD RECOVERY RE
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
1.2A, 600V, STANDARD RECOVERY RE
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W